SESZIONE DI TORINO
Dinamiche non lineari nei processi di trasporto di carica determinano, nei semiconduttori, l'insorgenza di fenomeni di isteresi e di oscillazione spontanea. Le difficolta' nel controllo di questi fenomeni ne ha fino ad ora ostacolato l'impiego nella costruzione di dispositivi. Tali difficolta' sono dovute al fatto che le dinamiche coinvolte sono legate a processi di ionizzazione a valanga. Uno studio recente ha mostrato che la competizione fra diversi canali di ricombinazione potrebbe generare fenomeni di isteresi meglio controllabili, e quindi applicabili, per esempio, alla costruzione di dispositivi di memoria a scrittura e lettura ottica. I centri di ricombinazione piu' promettenti, a tal fine, sono centri doppi donatori o accettori, per i quali lo stato piu' superficiale presenti una sezione d'urto di ricombinazione, per portatori aventi la sua stessa carica, piu' elevata di quello profondo, malgrado la repulsione elettrostatica

DATA: 18-01-2008